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透明非结晶氧化物半导体FET技术备受瞩目照相机电池

时间:2020年03月10日

透明非结晶氧化物半导体FET技术 备受瞩目2005-7-12 “2005年有源矩阵型液晶显示器国际研讨会(AM-LCD apos;05)”的第2天,在三场专题会议上总计发表了10场特邀演讲,另有2条快讯,还有44项海报展示,内容非常丰富。其中的压轴戏就是东京工业大学教授细野秀雄所做的题为《Transparent High Performance FET Using Amorphous Oxide Semiconductors》的技术发表。细野曾因2004年底在《自然》科学杂志上发表《室温下在塑料底板上形成迁移率为10cm2·V-1·s-1的透明非结晶氧化物半导体FET》而一鸣惊人。 在多种候选材料中,a-InGaZnO4半导体能够和ITO(铟锡氧化物)一样进行操作。将从便利店买来的饮料瓶简单地清洗后,先在上面形成a-InGaZnO4半导体层、ITO源-漏极电极、Y2O3栅极绝缘膜,最后再形成ITO栅电极,就能制成n型FET。

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